Энергонезависимая память

Разработка и квалификация модулей Flash и EEPROM памяти с блоками сопряжения с основными интерфейсами JTAG, SCAN, SPI. Модули памяти спроектированы с использованием следующих проектных норм: 0.8мкм, 0.5мкм, 0.35мкм, 0.18мкм.

Основными задачами является квалификация ячеек памяти (Flash и EEPROM) для разных технологий, а также поддержка проектов, содержащих модули Flash и EEPROM памяти. Сотрудники группы обладают следующими навыками: разработка аналоговых и цифровых схемотехнических решений и топологии с использованием основных пакетов САПР для разработки микроэлектроники такими как Synopsys, Cadence, Mentor Graphics, макетирование схемотехнических решений на ПЛИС Altera и Xilinx, проведение испытаний и измерений параметров микросхем.

Создан уникальный програмно-аппаратный комплекс для измерения параметров разработанных модулей памяти как в составе тестовых микросхем, так и в составе готового продукта. Также данный комплекс используется для проведения испытаний, связанных с проверкой работоспособности модулей памяти при высоких температурах и повышенном количестве циклов перезаписи.